单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3 V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16 A 100 ns TLP时仅为2.4 V，在20 A 8/20 µs浪涌时仅为3.4 V。双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装，触发电压为8 V，典型器件鲁棒性超过14 A 8/20 µs，典型器件电容为0.82 pF。 

 

虽然这两种器件都可为USB2.0 D+/D-线路提供出色的保护作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通带超过7.5 GHz，因此适用于5 Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。